传导损耗

作品数：39被引量：5H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：颜景斌陈景文张昌海迟庆国徐殿国更多>>
相关机构：哈尔滨理工大学成都翰道科技有限公司台达电子工业股份有限公司哈尔滨工业大学更多>>
相关期刊：《无线电》《东方电机》《中国集成电路》《电子科技文摘》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
射频应用:利用硅基氮化稼外延片实现低传导损耗
《半导体信息》2020年第6期15-16,共2页
近年来,对GaN功率和RF器件的各种应用越来越多广泛,GaN基产品的需求不断增长,总部位于新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)积极开发硅/碳化硅基氮化稼外延片(GaN-on-Si/SiC)和专有的8英寸(200毫米)GaN制造技术并实现了商业化,产品用于功率,R...
关键词：外延片 击穿电场 GaN 传感器应用 漂移速度 航空航天 高频器件 宽带隙 
Vishay推出业内最低导通电阻的-30VP沟道MOSFET可提高能效和功率密度
《半导体信息》2020年第4期13-14,共2页
Vishay首度推出-30Vp沟道功率MOSFET——SiRA99DP,10V条件下导通电阻降至1.7mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15mm×5.15mm PowerPAK SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。日前...
关键词：导通电阻 功率MOSFET 高功率密度 传导损耗 
LLC谐振DC/DC变换器调制性能分析被引量：1
《控制工程》2019年第9期1717-1721,共5页丁犇 
LLC谐振变换器具有效率高、体积小、损耗低等优点。针对基于LLC谐振的DC/DC转换器,在分析其工作原理的基础上,设计LLC谐振DC/DC变换器调制策略,利用PSIM 6.0软件对脉宽调制和脉冲位置调制这两种主要调制控制方案的闭环性能、频域性能和...
关键词：LLC谐振 DC/DC变换器 闭环性能 频域性能 传导损耗 
对大功率IGBT模块损耗的研究被引量：4
《信息技术》2019年第8期53-57,61,共6页项阳 刘磊 
中国南方电网有限责任公司科技项目(SEPRI-K1-75002)
大功率IGBT模块损耗的确定是三相PWM变流器设计的一个关键参数。文中对两种类型转换器的功率半导体损耗进行了完整的分析计算。所提出的计算基础是将大功率IGBT的损耗简化为传导损耗和转换损耗。这种近似计算方法有助于预测和进一步研...
关键词：IGBT 脉宽调制 传导损耗 转换损耗 
用于水下电子声学换能器技术透声材料的橡胶配件的研究及其老化特性(二)
《橡塑资源利用》2017年第2期34-40,共7页velayudhan balakrishna pillai 孙新(编译) 
对于有效的消除回声参数，R和T都必须接近于0。术语称之为反声衰减（ER）和传导损耗（TL）。
关键词：声学换能器 老化特性 橡胶配件 材料 技术 电子 水下 传导损耗 
Vishay发布新款快恢复二极管，减少传导损耗并提高效率
《集成电路通讯》2015年第3期15-15,共1页
Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机模块、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。VishaySemiconductors的”H”和”U”系列器件以晶圆形式的裸晶供货，它们具有超...
关键词：快恢复二极管 传导损耗 电源模块 反向恢复 正向电压 逆变器 器件 UPS 
Vishay发布新款超快恢复二极管,减少传导损耗并提高效率
《半导体信息》2015年第3期29-30,共2页赵佶 
Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen 4Ultrafast快恢复二极管,这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。Vishay Semiconductors的"H"和"U"系列器件以晶圆形式的裸晶供货,它们具有超低正...
关键词：太阳能逆变器 正向电压 恢复电荷 降低损耗 VISHAY 三相逆变器 高频应用 正向电流 反向恢复时间 功率因数校正 
IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列
《半导体信息》2014年第2期6-7,共2页季建平 
全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IR...
关键词：导通电阻 高性能 功率半导体 整流器 封装 管理方案 传导损耗 器件 系列 典型值 
阳极短路型IGBT
《今日电子》2013年第3期65-65,共1页
高功率和高频率感应加热（IH）家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。飞兆半导体的高电压场截止阳极短路（Shorted Anode）trench IGBT可...
关键词：IGBT 阳极短路 设计人员 系统可靠性 飞兆半导体 开关性能 传导损耗 家用电器 
IR公司推出1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列
《无线电》2011年第10期5-5,共1页
IR公司推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列。该系列晶体管采用纤薄晶圆场截止沟道技术，可显著降低开关及传导损耗，从而在较高频率下提升功率密度和效率。
关键词：绝缘栅双极晶体管 IR公司 不间断电源 感应加热 沟道技术 传导损耗 功率密度 太阳能 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部