阳极短路垂直型IGBT的优化模型  

Optimal Model of a Vertical IGBT with Shorted Anode

作　　者：刘海涛[1] 陈启秀[1] 

机构地区：[1]浙江大学信电系功率器件研究所

出　　处：《微电子学》1999年第2期115-118,共4页Microelectronics

基　　金：博士点专项基金

摘　　要：提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型，阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种有效的方法。An optimal design model of vertical IGBT with shorted anode is presented.The trade offs among on state voltage drop,turn off time and latch up current are examined.The model offers an effective method for the design of vertical IGBTs with shorted anode.

关 键 词：功率器件 IGBT 阳极短路 优化模型 双极晶体管 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN322