可关断晶闸管

作品数：129被引量：242H指数：8
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抵御换相失败的新型IGCT直流混合换相换流器
《新型电力系统》2024年第4期406-417,共12页许超群 余占清 董昱 曾嵘 葛睿 屈鲁 赵彪 
国家自然科学基金联合基金集成项目(U216660001);国家自然科学基金青年基金(52407211)。
基于电网换相换流器的常规直流输电技术是远距离大容量输电的首选方案,但其换相失败问题严重威胁直流多落点电网安全稳定运行。由于晶闸管固有的半控特性,已有方法难以显著降低换相失败风险。文章提出一种新型的基于集成门极换流可关断...
关键词：直流输电 换相失败 混合换相换流器 集成门极换流可关断晶闸管(IGCT) 
10kV SiC GTO器件特性研究
《电子与封装》2022年第3期12-17,共6页程琳 罗佳敏 龚存昊 张有润 唐毅 门富媛 都小利 
国网安徽省电力有限公司培训中心科技项目(2017QC02)。
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考...
关键词：4H-SIC 门极可关断晶闸管 脉冲放电特性 
大功率半导体技术现状及其进展被引量：14
《机车电传动》2021年第5期1-11,共11页刘国友 王彦刚 李想 Arthur SU 李孔竞 杨松霖 
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的...
关键词：功率半导体器件 硅材料 晶闸管 门极可关断晶闸管 集成门极换流晶闸管 绝缘栅双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 宽禁带 
矿用异步电动机分级离散变频软启动方式研究被引量：3
《工矿自动化》2016年第12期50-55,共6页王东峰 张开如 王毅 王永立 
"十二五"国家科技支撑计划项目(2012BAB13B04)
针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主...
关键词：异步电动机 软启动 分级离散变频 门极可关断晶闸管 
SiC GTO晶闸管技术现状及发展被引量：8
《大功率变流技术》2016年第5期7-12,35,共7页王俊 张渊 李宗鉴 邓林峰 
国家自然科学基金(51577054)
近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展。在SiC高压功率器件中,门极可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、大电流、快速关断、低正向导通压降以及耐高温等优点。文章主要阐述了SiC GTO在衬底材料、外延材料、载流...
关键词：碳化硅 门极可关断晶闸管 阻断电压 发射极关断晶闸管 载流子寿命 
基于PWM技术实现异步电动机变极无级调速方法的研究被引量：1
《自动化技术与应用》2016年第5期93-95,99,共4页赵经富 
针对三相异步电动机改变磁极对数只能实现有级调速的局限,提出一种采用脉宽调制技术改变供电电压,通过可关断晶闸管实现定子接线方式改变及可控调压相结合以实现变极调速难以实现的无级调速方法。该方法简便易行,非常适合恒转矩负载。
关键词：变极调速 PWM(错时供电) 无级调速 异步电动机 可关断晶闸管 
碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展被引量：2
《半导体技术》2016年第2期89-95,共7页周才能 岳瑞峰 王燕 
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十...
关键词：碳化硅 门极可关断晶闸管(GTO) 结终端(JTE) 阻断电压 少子寿命 
一种基于快速开关的新型故障电流限制器被引量：5
《智能电网》2015年第11期1027-1033,共7页李锦屏 谢炜 刘慧文 宋晓通 
在研究并联开关接入电抗式故障电流限制器(fault current limiter,FCL)的基础上,给出一种新型的基于快速开关的FCL,论述该类型FCL中快速真空开关、可关断晶闸管(gate turn-off thyristor,GTO)及金属氧化物避雷(metal oxide arrester,MOA...
关键词：故障电流限制器(fault current limiter FCL) 并联开关接入电抗 快速开关 短路电流转移 真空快速开关 可关断晶闸管(gate TURN-OFF thyristor GTO) 金属氧化物避雷器(metal oxide arrester MOA) 
编者按
《电工电能新技术》2015年第9期1-16,28,共17页
20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 门极可关断晶闸管 半导体功率器件 绝缘栅双极型晶体管 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 编者 MOSFET 
常用电力电子器件特性综述
《陕西国防工业职业技术学院学报》2015年第1期38-40,共3页刘春雅 潘晓绒 吴君线 王月爱 
陕西国防工业职业技术学院2014年度科研项目《基于MATLAB的电力电子器件特性模型设计研究》(项目编号:GFy14-21)的研究成果之一
电力电子技术是利用电力电子器件实现工业规模电能变换的技术,电力电子技术的发展是以电力电子器件为核心发展起来的,本文在叙述电力电子器件发展及分类的基础上,重点论述了常用电力电子器件的特性。为变流电路及变流装置的设计奠定基础。
关键词：电力电子器件 晶闸管 门极可关断晶闸管 
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