新型阳极短路环的大功率 GTO  

High Power GTO with a Novel Ring Anode shorts

作　　者：张昌利[1] 李冲[1] 贾洪渊 陈治明[2] 

机构地区：[1]西安电力电子技术研究所 [2]西安理工大学

出　　处：《电力电子技术》1998年第1期75-78,共4页Power Electronics

基　　金：机械工业技术发展基金

摘　　要：采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。High power GTO thyristors of 1000A,2500V and 2000A,2500V with a novel ring anode shorts emitter structure are developed.The basic desigh and process of GTO and optimun compromise between on state losses and turn off losses are given.

关 键 词：关断晶闸管 阳极短路 发射极 GTO 晶闸管 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]