20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究  

Pioneering Study on Static Induction Devices(SID) in Past 20 Years

作　　者：李思渊[1] 

机构地区：[1]兰州大学静电感应器件研究所

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》1999年第3期36-55,共20页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

基　　金：国家"八五"科技攻关项目;甘肃省"六五";"八五";"九五"科技攻关项目

摘　　要：全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ Ｓ Ｉ Ｄ）的开拓性研究成果，包括 Ｓ Ｉ Ｄ 基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究， Ｓ Ｉ Ｄ产品的研制以及 Ｓ Ｉ ＤThe pioneering achievements of our institute on SID research are summed up here. They are as follows:The theoretical studies on the physics of SID, the device structures,control of the electrical performance,the key manufacturing technologies,the development of new varieties of products of SID and partial applications of these SID, etc.

关 键 词：静电感应器件 SID 电力半导体器件 SIT SITH 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TM76－39[电气工程—电力系统及自动化]