静电感应器件

作品数：8被引量：13H指数：3
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埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
《半导体技术》2008年第5期384-387,共4页雷景丽 李思渊 李海蓉 李海霞 
甘肃省攻关项目(GS012-A52-064)
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型。研...
关键词：工艺 外延层 反型 自掺杂 
半导体静电感应器件
《传感器世界》2006年第11期41-41,共1页
静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达...
关键词：静电感应器件 电力半导体器件 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 产品结构 BSIT SITH 节能效果 
硅-硅直接键合制造静电感应器件被引量：5
《电力电子技术》2004年第2期92-94,共3页陈新安 刘肃 黄庆安 
静电感应器件(StaticInductionDevice,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题。用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了...
关键词：电力半导体器件/静电感应器件 硅-硅直接键合 掩埋栅结构 
20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究被引量：3
《兰州大学学报（自然科学版）》1999年第3期36-55,共20页李思渊 
国家"八五"科技攻关项目;甘肃省"六五";"八五";"九五"科技攻关项目
全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ Ｓ Ｉ Ｄ）的开拓性研究成果，包括 Ｓ Ｉ Ｄ 基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究， Ｓ Ｉ Ｄ产品的研制以及 Ｓ Ｉ Ｄ
关键词：静电感应器件 SID 电力半导体器件 SIT SITH 
静电感应器件栅源击穿特性的改善被引量：4
《半导体技术》1999年第1期36-38,共3页杨建红 李思渊 王天民 
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明：当使用高阻单晶材料（ＮＤ＝１×１０１４ｃｍ－３）作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高（Ｎｅｐｉ＞１×１０１６ｃｍ－３）时，...
关键词：静电感应器件 栅源击穿电压 电力开关器件 
多条小间距扩散结横向扩散比例的测量
《半导体技术》1997年第6期28-30,36,共4页杨建红 李思渊 
用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响：斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视，结面交连的影响在两结十分靠近且结深较大时比较明显，对于静电感应器件而言更是如此，二者均使测量结...
关键词：扩散 测量 静电感应器件 半导体器件 
复合结构的静电感应器件被引量：2
《应用科学学报》1996年第2期243-247,共5页李思渊 刘肃 刘瑞喜 杨建红 
复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一...
关键词：静电感应器件 复合结构 I^V特性 
静电感应(SI)器件
《大功率变流技术》1995年第3期21-25,共5页村冈公裕 童宗鉴 
介绍静电感应器件的作用原理、特点与开发现状;举例介绍常闭型SIT、常开型SITH的特性并对今后的推广应用作了简要展望。
关键词：静电感应器件 SIT SITH 结构 原理 特性 
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