云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- BSIT

BSIT: 作品数：22被引量：8H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信电气工程更多>>; 相关作者：李思渊刘瑞喜姜岩峰丛众吴春瑜更多>>; 相关机构：兰州大学辽宁大学中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《传感器世界》《电子学报》《中国计量》更多>>

声波可让光纤中的光变“听话”: 《中国计量》2015年第6期56-57,共2页闫罡; 要让一根光纤只向一个方向传导光,方法不止一种。最近,美国伊利诺伊大学厄本那-香槟分校研究人员首次实验证明了用布里渊散射引致透明（BSIT）可以实现这种效果,BSIT效应允许光向前传播,而向后传播的光被强烈吸收,还可以让光纤中的光加...; 关键词：光纤光变声波布里渊散射研究人员 BSIT 光学设计环形器

声波可让光纤中的光变“听话”: 《光学精密机械》2015年第1期7-8,共2页; 要让一根光纤只向一个方向传导光，方法已经不止一种。最近，美国伊利诺伊大学厄本那一香槟分校研究人员首次实验证明了用布里渊散射引致透明（BSIT）可以实现这种效果，BSIT效应允许光向前传播，而向后传播的光被强烈吸收，还可以让光...; 关键词：光纤光变声波布里渊散射研究人员 BSIT 传播

Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure被引量：2: 《Science China(Information Sciences)》2012年第4期962-970,共9页WANG YongShun FENG JingJing LIU ChunJuan WANG ZiTing WANG ZaiXing ZHANG CaiZhen; supported by Scientific and Technological Supporting Program of Gansu Province(Grant No.097GKCA052); The breakdown mechanism of power bipolar static induction transistor （BSIT） with buried gate structure is analyzed in depth. A power BSIT sample with high voltage-resistant capability has been designed and fabricate...; 关键词：bipolar static induction transistor voltage-resistant capability PUNCH-THROUGH deep trench

BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成: 《电力电子技术》2007年第7期98-100,共3页杨建红汪再兴张辉闫锐; 对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况...; 关键词：晶体管电学性能/偶极区电导调制双极型晶体管

半导体静电感应器件: 《传感器世界》2006年第11期41-41,共1页; 静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达...; 关键词：静电感应器件电力半导体器件静电感应晶体管静电感应晶闸管产品结构 BSIT SITH 节能效果

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究: 《半导体技术》2003年第10期78-81,共4页崔占东杨银堂; 通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。; 关键词：表面栅 BSIT 栅源低击穿双极模式静电感应晶体管功率开关电路

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制被引量：1: 《电子学报》1999年第5期53-55,共3页丛众吴春瑜王荣石广元闫东梅张雯朱肖林汪永生; 电子工业部科技开发项目; 耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟...; 关键词：耗尽基区静电感应本征栅双极晶体管 BSIT

宽温超高频双极静电感应晶体管研制: 《半导体技术》1999年第2期24-27,共4页丛众王荣吴春瑜闫东梅王大奇; 描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。; 关键词：双极静电感应本征栅势垒沟道宽度 BSIT 晶体管

双极型静电感应晶体管的温度特性被引量：1: 《半导体技术》1999年第2期30-32,35,共4页朱淑玲姜岩峰; 通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察Ｂ...; 关键词：双极型静电感应晶体管温度特性迁移率 BSIT

金槽BSIT:一种新型静态感应晶体管被引量：2: 《世界电子元器件》1998年第8期51-52,共2页李思敏; 功率型静态感应晶体管BSIT是一种高频、高速的功率场控制器件,它既具有功率MOS管一样高的开关速度,又具有双极晶体管一样低的导通压降。它不会发生功率MOS管那样的静电击窗,也不会发生双极晶体管那样的二次击穿。它具有很大的过电流能力...; 关键词：静态感应晶体管 BSIT 功率型

BSIT