表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究  

Research on the gate-source breakdown of the planar gate BSIT

作　　者：崔占东[1] 杨银堂[2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,河北石家庄050051 [2]西安电子科技大学,陕西西安710071

出　　处：《半导体技术》2003年第10期78-81,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。By analyzing the reason of decreasing the Gate-Source breakdown voltage of planargate BSIT(Bipolar-mode Static Induction Transistor),the factor to effect the performance of Gate-Source junction is enumerated, such as design, material, environment, operation, equipment, etc.The way to improve the Gate-Source breakdown voltage is indicated.

关 键 词：表面栅 BSIT 栅源低击穿 双极模式静电感应晶体管 功率开关电路 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]