双极模式静电感应晶体管

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表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究
《半导体技术》2003年第10期78-81,共4页崔占东 杨银堂 
通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。
关键词:表面栅 BSIT 栅源低击穿 双极模式静电感应晶体管 功率开关电路 
DX421系列硅双极模式静电感应晶体管(BSIT)
《机电新产品导报》1994年第Z1期134-134,共1页
BSIT是一种新型功率开关器件,在国际上仅在日本有产品销售。 该器件在工作原理及结构设计上均有新的突破,因而该器件不仅具有场效应管工作频率高,输出功率大,无二次击穿,电流负温度系数等优点,而且具有双极管饱和压降小的特点,被誉为新...
关键词:静电感应晶体管 硅双极 功率开关器件 电力电子器件 BSIT 结构设计 负温度系数 场效应管 工作原理 二次击穿 
双极模式静电感应晶体管特性分析
《半导体情报》1993年第6期28-33,共6页李文宏 
在新的阻断状态全解析模型基础上,结合已有的理论成果,全面分析了双极模式静电感应晶体管(BSIT)的静态、动态和温度特性,并在分析中更加明确地论证了势垒钉扎等问题,为BSIT的设计提供了理论依据。
关键词:静电感应 晶体管 电场分布 势垒 
双极模式静电感应晶体管设计要点
《半导体情报》1993年第5期50-53,49,共5页李文宏 张屏英 吴一清 
在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定性解释。还分析了大注入通态特性与结构参数的关系,为BSIT的关...
关键词:静电感应 晶体管 势垒 设计 
双极模式静电感应晶体管及其复合管的原理
《半导体情报》1992年第3期1-13,共13页王新 梁春广 韩直 
静电感应器件通过控制漏和栅的电压来改变沟道中的势垒高度,从而控制来自源区的多数载流子量,并通过静电式控制沟道中的电势分布,来控制电流。本文说明了BSIT单管及大电流高增益复合管的主要工艺过程和工作原理,特别是BSIT由小电流区域...
关键词:静电感应 晶体管 模拟 双极 
双极模式静电感应晶体管(BSIT)
《半导体情报》1990年第2期21-24,共4页韩直 
一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。
关键词:双极 静电感应 晶体管 BSIT 
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