光色效应双掺杂(Fe,Mn)vLiNbO_3的光折变全息存储  

作　　者：刘友文[1] 刘立人[1] 周常河[1] 徐良瑛[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《光学学报》1999年第10期1437-1438,共2页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;上海应用物理中心资助

摘　　要：采用双掺杂（Ｆｅ， Ｍｎ）ｖＬｉＮｂＯ３ 晶体实现了光色效应光折变全息， 实验上着重研究了不同氧化／还原状态晶体全息存储性能， 结果表明， 只有晶体具有较高的氧化程度才能实现全息的长期存储， 与理论分析一致。

关 键 词：双掺杂 全息存储 铌酸锂晶体 光折变 光存储 

分 类 号：TP333.4[自动化与计算机技术—计算机系统结构]