用于军事和航空航天领域的高可靠性技术  

High-Reliability Technologies for Military & Aerospace

作　　者：K.Werner S.Theeuwen J.de Boet V.Bloem W.Sneijers 

机构地区：[1]恩智浦半导体

出　　处：《世界电子元器件》2011年第6期38-39,共2页Global Electronics China

摘　　要：高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率相结合。此外,因为基于高容量的Si制造流程,高压LDMOS的可靠性众所周知且已经过市场验证。LDMOS的固有特性使其可承受＋5dB的过驱动,且无故障风险,灵活性的提升有助于实现不同的脉冲格式并防止热失控,从而使整体系统设计比既有的双极技术更简单。

关 键 词：航空电子设备 可靠性技术 航天领域 LDMOS 军事 高功率密度 技术选择 RF功率 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]