电子有效质量随位置变化的半导体量子阱中的光学整流(英文)  被引量:2

OPTICAL RECTIFICATION IN A SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL WITH A POSITION-DEPENDENT EFFECTIVE MASS 

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作  者:刘翠红[1,2] 郭康贤[3] 陈传誉[1,2] 马本堃[1] 

机构地区:[1]北京师范大学物理系 [2]广州师范学院物理系,510400 [3]广州师范学院物理系

出  处:《光子学报》1999年第11期965-969,共5页Acta Photonica Sinica

摘  要:本文利用坐标变换和密度矩阵等方法,导出了电子有效质量随位置变化的量子阱中光学整流系数的解析表达式. 数值结果表明,较大的光学整流系数与系统的非对称性和光子能量有关.Optical rectification is calculated for a semiconductor quantum well in which the effective mass vary with position It is obtained an analytic formula for optical rectification by a coordinate transform and the density matrix approach The origin of the large optical rectification is due to the pump photon energy and the asymmetry of quantum well

关 键 词:光学整流 非对称 量子阱 半导体 电子质量 

分 类 号:O471.1[理学—半导体物理]

 

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