溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO_2薄膜与p^+-Si形成的异质结的电致发光  

Electroluminescence of Heterostructures Formed by p^+-Si and TiO_2 Films Derived from Oxidation of Sputtered Ti Films

作　　者：张安邦[1] 马向阳[1] 金璐[1] 杨德仁[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《发光学报》2011年第5期471-475,共5页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：教育部博士点基金(007033501);浙江省自然科学基金杰出青年团队项目(R4090055);国家"973"计划(2007CB13403)资助项目

摘　　要：利阿太磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p^+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO_2薄膜,从而形成TiO_2/p^+ -Si异质结。研究表明:要使TiO_2/p^+ -Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO_2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜。此外,TiO_2的薄膜厚度需要控制在合理的范围。文中对上述结果的物理机制进行了探讨。TiO_2/p~＋-Si heterostructures were formed by thermal oxidation of the sputtered Ti films on heavily boron-doped silicon（p~＋-Si）substrates.In order to make the TiO_2/p~＋-Si heterostructures more suitable for electroluminescence,the TiO_2 films should be anastate in crystal structure.This required the precursor Ti films possess small crystal grains.Such Ti films could be sputtered at relatively low sputtering power.Moreover, the thickness of TiO_2 films should be controlled in a desirable range.The related mechanisms for the above-mentioned results have been discussed.

关 键 词：二氧化钛 硅 异质结 电致发光 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理] TN304[理学—物理]