ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响  

Influence of Different Substrate and Pressure on Growth and Properties of ZnMgO Films

作　　者：陈慧[1] 顾书林[1] 朱顺明[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系南京微结构国家重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《发光学报》2011年第5期482-486,共5页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(60776013;50532100);国家"863"计划(2007AA03Z404)资助项目

摘　　要：利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。ZnMgO films were grown on the Al_2O_3（sapphire）and ZnO substrates by metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）under different pressures.By analyzing the crystal structure,surface properties, optical and electrical properties of ZnMgO films,We found that different substrates and pressures have an important influence on growth and properties of ZnMgO films.Both high pressure of 5 kPa and ZnO substrate are better for Mg doping in ZnMgO.

关 键 词：ZNMGO薄膜 衬底 生长压强 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]