云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ZNMGO薄膜

ZNMGO薄膜: 作品数：11被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：叶志镇陈星刘可为李炳辉张振中更多>>; 相关机构：浙江大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北京交通大学南开大学更多>>; 相关期刊：《光谱学与光谱分析》《发光学报》《物理学报》《材料科学与工程学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目更多>>

退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响被引量：3: 《光谱学与光谱分析》2014年第7期1789-1792,共4页孙冬晓李金华方铉陈新影方芳楚学影魏志鹏王晓华; 国家自然科学基金项目(61006065;61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20102216110001;20102216120002;20112216120005);吉林省自然科学基金项目(20101546);吉林省科技发展计划项目(20121816;201201116);吉林省教育厅项目(2011JYT05;2011JYT10;2011JYT11);高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C310101120C031115);长春市国际科技合作计划项目(2010CC02);吉林农业大学科研启动基金项目(201238)资助; 针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射仪(X...; 关键词：原子层沉积 ZNMGO薄膜退火温度

p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电导性能: 《材料科学与工程学报》2013年第5期632-634,共3页薛雅叶志镇陈凌翔叶春丽; 国家自然科学基金资助项目(51172204); 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试。两种光照下,光电流均瞬间上升...; 关键词：Na掺杂 p型ZnMgO 光电导

衬底温度对ZnMgO薄膜结构和光致发光性能的影响被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2013年第8期2051-2054,共4页董李娜王玉新孙景昌郑亚茹张焕梁鸣林茂魁崔硕; 国家自然科学基金项目(11004092);大连市科学技术基金项目(2011J21DW013)资助; 利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度(450～550℃)在石英衬底上制备出一系列ZnMgO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构、表面形貌和光学性能。结果表明衬底温度对薄膜结构性能和光...; 关键词：ZNMGO薄膜超声喷雾热解法衬底温度光致发光谱

MOCVD法在MgO(100)衬底上生长m面ZnMgO薄膜被引量：2: 《材料科学与工程学报》2013年第2期195-198,207,共5页张亚琳黄靖云吴科伟卢洋藩叶志镇; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜。采用扫...; 关键词：ZNMGO m面金属有机化学气相沉积(MOCVD)

利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜被引量：2: 《发光学报》2011年第10期1020-1023,共4页赵龙殷伟夏晓川王辉史志锋赵旺王瑾董鑫张宝林杜国同; 国家自然科学基金(60877020;61006006)资助项目; 利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光...; 关键词：ZNMGO薄膜 P型掺杂 MOCVD

ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响被引量：2: 《发光学报》2011年第5期482-486,共5页陈慧顾书林朱顺明; 国家自然科学基金(60776013;50532100);国家"863"计划(2007AA03Z404)资助项目; 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5...; 关键词：ZNMGO薄膜衬底生长压强

衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响: 《发光学报》2008年第3期499-502,共4页叶康叶志镇胡少华赵炳辉何海平朱丽萍; 国家"973"计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060;90601003)资助项目; 利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征...; 关键词：ZNMGO薄膜 Ga-N共掺杂磁控溅射衬底

分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜折射率及厚度的测试被引量：5: 《物理学报》2007年第7期4127-4131,共5页延凤平郑凯王琳李一凡龚桃荣简水生尾形健一小池一步佐佐诚彦井上正崇矢野满明; 国家自然科学基金重点项目(批准号:60337010)资助的课题.~~; 利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系...; 关键词：ZNMGO薄膜偏振光椭圆率测量仪折射率分子束外延(MBE)

立方相ZnMgO的电学特性: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期167-170,共4页金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁; 国家自然科学基金(批准号;60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目; 在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MI...; 关键词：C-ZnMgO薄膜 MIS结构介电常数漏电性能

利用ICP法测定ZnMgO薄膜的Mg组分被引量：1: 《物理学报》2006年第6期3013-3017,共5页延凤平简水生尾形健一小池一步佐佐诚彦井上正崇矢野满明; 利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使用1次和2次检量式所确定的Zn1-xMgxO薄膜中的Mg组分的差异.将采用1次检量式的ICP测定与EPMA测定结果进行对...; 关键词：ZNMGO薄膜 Mg组分分子束外延(MBE) 电感耦合等离子体(ICP)

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