利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜  

As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD

作　　者：赵龙[1] 殷伟[1] 夏晓川[2] 王辉[1] 史志锋[1] 赵旺[1] 王瑾[1] 董鑫[1] 张宝林[1] 杜国同[1,2] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012 [2]大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024

出　　处：《发光学报》2011年第10期1020-1023,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(60877020;61006006)资助项目

摘　　要：利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析。结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;480～520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33Ω.cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V.s);室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能。By introducing the GaAs interlayer and controling growth temperature,the p-type ZnMgO films were grown on（0001） Al2O3 substrates by metal organic chemical vapor deposition（MOCVD） method.The X-ray diffraction results indicated that the ZnMgO films showed c-axis preferential orientation at temperature of 440～520 ℃.A conversion of conduction type was confirmed by Hall effect measurement in a range of temperature from 480 to 520 ℃.The lowest resistivity was 26.33 Ω·cm,with a carrier concentration of 1.638×1017 cm-3,and a hall mobility of 1.45 cm2/（V·s）.The room temperature photoluminescence（PL） spectrum displayed all the p-type ZnMgO films showed good optical qualities,with a big ratio of near band emission（NBE） to deep level emission（DLE）.

关 键 词：ZNMGO薄膜 P型掺杂 MOCVD 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]