采用三氯化铁为插层剂,我国成功合成两层以上一阶次的石墨烯插层化合物  

出　　处：《传感器世界》2011年第6期40-40,共1页Sensor World

摘　　要：在科技部重大科学研究计划和国家自然科学基金的支持下，中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室谭平恒研究员研究组和英国剑桥大学Ferrari博士研究小组合作，利用三氯化铁为插层剂，成功合成了两层以上一阶次石墨烯插层化合物。通过控制反应条件和后处理方式，所合成的石墨烯插层化合物基本实现了石墨烯的完全掺杂，

关 键 词：插层化合物 三氯化铁 插层剂 石墨 合成 阶次 国家自然科学基金 半导体超晶格 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程]