对向靶溅射制备CN膜研究  

作　　者：姜恩永[1] 王怡[1] 

机构地区：[1]天津大学应用物理系

出　　处：《真空科学与技术》1999年第A10期108-110,共3页Vacuum Science and Technology

摘　　要：使用对向靶系统在Ｓｉ（１００）基片上于不同Ｎ２分压下制备ＣＮ膜样品。Ｘ射线衍射表明样品为非晶结构。用Ｘ射线光电子谱测量膜中Ｎ的含量，结果表明膜中／Ｃ随Ｎ２分压提高而增大，当Ｎ２分压为１００％时，Ｎ／Ｃ达到０．４６。用Ｘ射线光电子谱和红外谱研究了膜中Ｃ与Ｎ的键态，结果表明膜中Ｃ与Ｎ之间存在化学键合。Ｎ与Ｃ的键态主要由Ｎ－ｓｐ＾２Ｃ和Ｎ－ｓｐ＾Ｃ及少量Ｃ＝Ｃ组成。

关 键 词：对向靶溅射 氮化碳膜 键态 溅射系统 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]