非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结  

Property Investigation of a-Si/c-Si Hetero-Junction Structure

作　　者：汪建强[1,2] 高华 张剑 张松[1] 李晨[1] 叶庆好[1] 孟凡英[1] 

机构地区：[1]上海交通大学太阳能研究所,上海200240 [2]上海超日太阳能科技股份有限公司,上海201406

出　　处：《上海交通大学学报》2011年第6期798-803,共6页Journal of Shanghai Jiaotong University

基　　金：上海市科学技术委员会和应用材料国际科技合作基金(08520741400);上海市科学技术委员会优秀学科带头人基金(08XD14022)

摘　　要：通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.This paper investigated the influence of a-Si/c-Si band offset,amorphous silicon emitter doping concentration and interface defects density on interface property of a-Si/c-Si structure.Band offset in a-Si（N＋）/c-Si（P） hetero-junction and a-Si emitter high level doping is very useful for the transformation of recombination mechanism from dangling bond to SRH（Shockly-Read-Hall）.AFORS-HET simulation indicates that a-Si（N＋） emitter doping level of over 1.5×1020 cm-3 on c-Si（P） is an indispensable condition for achieving high efficiency.Comparing with density of short circuit current,open circuit voltage of a-Si/c-Si structure cell is much more susceptible to interface defect density.

关 键 词：非晶硅/晶体硅 发射结掺杂 界面态密度 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]