TiAlN薄膜的磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积制备的研究  

TEXTURE AND PROPERTIES OF TIALN GRADIENT FILMS FABRICATED BY MAGNETRON FILTERED,PULSED VACUUM ARC,PLASMA REACTIVE DEPOSITION

作　　者：梁昌林[1] 程国安[1] 郑瑞廷[1] 韩东艳[1] 

机构地区：[1]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2011年第3期249-253,共5页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家973计划课题资助项目(2010CB832905);教育部重点科技资助项目(108124)

摘　　要：采用磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术,在室温、钛合金和Si(100)单晶表面制备了TiAlN薄膜.利用SEM、XRD、EDS和XPS等对薄膜的微观组织结构及化学组分进行了观察测试分析,探讨了磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术的工艺参数对TiAlN薄膜结构的影响.TiAlN gradient layer films were fabricated on titanium alloy and Si wafers, under magnetron filtered, pulsed vacuum arc, plasma reactive deposition, at ambient temperature and in a nitrogen atmosphere. The microstructure, texture and composition of deposited films were observed and analyzed using SEM, XRD, EDS and XPS.

关 键 词：TIALN薄膜 梯度过渡层 钛合金 组织结构 

分 类 号：O646.1[理学—物理化学]