低位错掺铟与不掺杂LEC SI-GaAs单晶生长工艺研究  

作　　者：刘力宾[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《稀有金属》1990年第5期387-390,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：在微波半导体领域内,2～3英寸高迁移率、高完整性的SI-GaAs单晶是制做GaAs器件特别是GaAs IC的理想材料,但用LEC法生长的单晶位错密度较高,EPD达10⁴～10⁵cm^-2。根据国内外的报道,现有降低LEC GaAs单晶位错工艺的实质是降低单晶的热应力与提高临界切应力。根据这种观点。

关 键 词：单晶 生长工艺 SI-GAAS单晶 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]