SI-GAAS单晶

作品数：12被引量：7H指数：2
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VGF法Si-GaAs单晶生长过程中产生位错的因素
《科技风》2018年第35期223-224,共2页周铁军 廖彬 
阐述了现有VGF法Si-Ga As单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素。与掺入杂质Si浓度;熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的PBN坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低...
关键词：位错密度 砷化镓单晶生长 VGF生长法 
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1775-1778,共4页于会永 赵有文 占荣 高永亮 惠峰 
研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-G...
关键词：垂直温度梯度凝固法 GAAS 微缺陷 单晶 
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究被引量：1
《半导体技术》2002年第7期10-12,17,共4页谢自力 
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。
关键词：深能级陷阱 退火特性 半绝缘砷化镓 热处理 光致电流瞬态谱 
非掺SI-GaAs单晶热处理的研究
《半导体情报》1997年第5期36-38,50,共4页徐玉忠 唐发俊 杨连生 
采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％...
关键词：非掺SI-GaAs 热处理工艺 砷化镓 单晶 
先进的砷提纯和GaAs合成方法对非掺SI—GaAs单晶高质量稳定生产影响
《电子材料快报》1995年第12期16-17,共2页任学民 
关键词：半导体 砷 砷化镓 SI-GAAS单晶 
组分对SI-GaAs单晶特性的影响被引量：1
《微细加工技术》1993年第4期40-43,共4页谢自力 夏德谦 陈宏毅 朱志明 
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。
关键词：单晶 半绝缘 砷化镓 外延生长 熔体组份 
轻掺铬SI-GaAs单晶的研制
《固体电子学研究与进展》1993年第2期161-164,共4页谢自力 夏德谦 陈宏毅 朱志明 
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。
关键词：掺铬 半绝缘砷化镓 单晶制备 
砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性
《微电子学》1991年第5期78-82,共5页鄢俊明 
3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。
关键词：高速电路 GsAs 杂质 缺陷 SI-GAAS 
降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1991年第4期341-346,共6页谢自力 夏德谦 陈宏毅 朱志明 
本文介绍了在国产高压单晶炉中,采取PBN涂层掩蔽碳的措施,利用LEC生长法,生长含碳量低的优质SI-GaAs单晶的工艺和实验结果.结合国内外LEC法生长SI-GaAs单晶降低碳含量的研究报道,讨论了环境中碳杂质沾污的机理及碳对SI-GaAs;单晶性能的...
关键词：SI GAAS 晶体 碳含量 降低 工艺 
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第3期216-224,共9页王占国 戴元筠 徐寿定 杨锡权 万寿科 孙虹 林兰英 
国家自然科学基金重大项目
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶...
关键词：SI-GaAs晶体 热稳定性 电学补偿 
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