退火特性

作品数:74被引量:192H指数:8
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不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性被引量:5
《物理学报》2021年第16期198-206,共9页顾朝桥 郭红霞 潘霄宇 雷志峰 张凤祁 张鸿 琚安安 柳奕天 
国家自然科学基金(批准号:11875229)资助的课题。
以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件...
关键词:碳化硅场效应晶体管 总剂量 电压 温度 退火效应 
新制标准铂电阻温度计退火特性理论模型及验证被引量:5
《计量学报》2021年第6期759-764,共6页于帆 孙建平 李婷 朱天梦 王成科 
国家重点研发计划重点专项(2017YFF0205904)。
根据再结晶动力学理论,对新制标准铂电阻温度计(SPRT)首次退火过程中水三相点电阻值随时间的变化规律建立了理论模型,得出无量纲电阻值变化具备指数函数特征及双对数无量纲电阻值变化函数的线性特性。基于15支SPRT在660℃退火的实验数...
关键词:计量学 标准铂电阻温度计 退火 应力 再结晶 晶格位错 
双极晶体管中子辐照后的高温退火特性被引量:2
《科学技术与工程》2017年第12期179-183,共5页邹德慧 荣茹 邱东 艾自辉 鲁艺 吕学阳 范晓强 
利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的...
关键词:双极晶体管 中子注量 高温退火 直流增益 损伤常数 
质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性被引量:2
《原子能科学技术》2015年第11期2087-2092,共6页姜柯 陆妩 马武英 郭旗 何承发 王信 曾俊哲 刘默涵 
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM...
关键词:PNP输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应 
不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性
《半导体技术》2015年第8期631-635,共5页王平 吴贵阳 王英杰 
在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结...
关键词:开关晶体管 电子辐照 氮化硅 存贮时间 电流增益 
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性被引量:3
《物理学报》2015年第13期294-300,共7页姜柯 陆妩 胡天乐 王信 郭旗 何承发 刘默涵 李小龙 
本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化...
关键词:NPN输入双极运算放大器 电子辐射 辐射效应 退火 
NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性被引量:1
《核技术》2015年第1期17-22,共6页张兴尧 郭旗 陆妩 于新 
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究...
关键词:NROM存储器 SONOS存储器 总剂量辐射 退火特性 电荷泵 灵敏放大器 
不同工艺线性稳压器电离辐射效应及退火特性被引量:1
《微电子学》2014年第2期253-255,259,共4页孙江超 张小玲 张彦秀 谢雪松 吕曼 吕长志 
研究掺氯氧化+PE钝化、无氯氧化+PE钝化、掺氯氧化+BPSG钝化三种不同工艺线性稳压器的电离辐照响应及退火特性。实验结果发现,掺氯氧化+BPSG钝化工艺样品比其他两种工艺电离损伤明显减小,具有较强的抑制电离辐射损伤的能力。退火实验表...
关键词:线性稳压器 电离辐射损伤 BPSG钝化 辐射加固 
真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性被引量:1
《红外与激光工程》2014年第2期398-403,共6页陈向前 彭滟 方丹 周云燕 刘姝祺 蔡斌 朱亦鸣 
上海市重点学科项目第三期工程(S30502);科技部国家重大基础研究项目973计划(2012CB934203);上海市教育委员会-上海市教育发展基金会“晨光计划”(12CG54);中国国家自然科学基金会(61007059,11104186,61138001,11174207);国家重大仪器专项(2011YQ150021,2012YQ150092,2012YQ140005);上海市基础研究重点项目(12510502300)
在真空环境下利用飞秒激光制备的“黑硅”材料,其形貌与SF6气氛中制备的“黑硅”材料有着很大的区别。为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性,通过改变入射脉冲能量研究其峰值变化以及吸收特性,发现当峰值达到一定高...
关键词:黑硅 微构造 吸收效率 退火 红外传感器 
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性被引量:3
《物理学报》2013年第15期339-344,共6页张兴尧 郭旗 陆妩 张孝富 郑齐文 崔江维 李豫东 周东 
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律.实验结果表明...
关键词:铁电存储器 总剂量辐射 退火特性 
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