质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性  

Irradiation Effect and Annealing Character of PNP Input Bipolar Operational Amplifier in Proton Radiation Environment

作　　者：姜柯[1,2,3] 陆妩[1,2] 马武英[1,2,3] 郭旗[1,2] 何承发[1,2] 王信[1,2,3] 曾俊哲 刘默涵[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 [2]中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 [3]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《原子能科学技术》2015年第11期2087-2092,共6页Atomic Energy Science and Technology

摘　　要：对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。The PNP input bipolar operational amplifiers were irradiated with 60Coγrays,3 MeV protons and 10 MeV protons respectively at different biases to determine the correlation of the radiation damage induced byγrays and protons.The comparison of protons with 60Coγrays shows that the proton radiation can induce both displacement and ionization damage,and 10 MeV protons can induce more damage than 3 MeV protons under the same absorbed dose.The biases have little effect on the proton radiationdamage.

关 键 词：PNP输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应 

分 类 号：TN321.8[电子电信—物理电子学] TN431