30nm级4Gb DDR3DRAM：DRAM  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第7期32-32,共1页Global Electronics China

摘　　要：三星电子推出量产30nm级4GbitsDDR3DRAM基板的32GB内存模块。内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点，能够在1．35V的电压下达到1．866Mbps传输速度，

关 键 词：DRAM M级 4Gb 内存模块 三星电子 内存模组 传输速度 低功耗 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]