系统级封装中穿透性硅通孔建模及分析  

3D Modeling and analysis of through-silicon-vias in system in package

作　　者：缪旻[1,2] 梁磊[1] 李振松[1] 许淑芳[1] 张月霞[1] 

机构地区：[1]北京信息科技大学信息微系统研究所,北京100101 [2]北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京100871

出　　处：《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2011年第3期15-19,共5页Journal of Beijing Information Science and Technology University

基　　金：中国国家高技术研究发展计划项目(863计划;2007AA04Z352);国家自然科学基金项目(60976083;60501007);北京市自然科学基金项目(3102014);北京邮电大学泛网无线通信教育部重点实验室项目(KFKT-2010101)

摘　　要：针对系统级封装技术(SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型,并提取出其电阻、电容、电感等无源元件值,对于所提出的电路模型进行了时域分析,仿真给出了眼图。The impact of physical configurations such as through silicon via （TSV） radius, TSV height and thickness of SiO2 on the transmission performance of system in package （SIP） is explored. A gigahertz equivalent circuit model of TSV in 3D Integrated Circuits is proposed and the values of passive elements within the model are extracted from full-wave scattering parameters. The proposed circuit model is analyzed in time domain, and the eye-diagram is shown based on the proposed circuit model.

关 键 词：系统级封装 穿透性硅通孔 等效电路 参数提取 眼图 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]