GSMBE法生长新型In0.49Ga0.51P／（In）GaAs／GaAs  

作　　者：毕叔和 

出　　处：《电子材料快报》1999年第1期7-8,共2页

关 键 词：GSMBE法 INGAP 砷化镓 生长 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]