不同驱动受MOS极间电容影响的研究  

作　　者：王小红[1] 张洁[1] 刘建华[1] 

机构地区：[1]四川大学电气信息学院,四川成都610065

出　　处：《电子世界》2011年第8期26-27,共2页Electronics World

摘　　要：随着电力电子技术的发展,MOSFET在高频开关电源中的应用日益广泛。然而随着MOSFET开关频率的不断提高,MOSFET极间电容引起的能量损耗也逐渐增加,对驱动波形的畸变影响也越来越大,因此MOSFET对驱动电路的要求也越来越高。如何提高开关驱动效率,减小开关动态损耗就越来越受到重视。本文首先分析高频下MOSFET极间电容的组成参数,然后对具体的IRF840 NMOS开关管进行不同的驱动实验测试,分析了在不同驱动下,驱动波形受到极间电容的不同程度影响,并对各种驱动效果做出了一定评价。

关 键 词：极间电容 MOSFET 驱动 

分 类 号：TN141.5[电子电信—物理电子学]