基于三相整流电路的电阻寄生参数计算及仿真  

Calculation and Simulation of Resistance Parasitic Parameters Based on Three-Phase Rectifying Circuit

作　　者：段瑞霞[1] 魏克新[1] 梁斌[1] 

机构地区：[1]天津理工大学天津市复杂工业系统控制理论及应用重点实验室,天津300384

出　　处：《华东电力》2011年第7期1093-1096,共4页East China Electric Power

基　　金：国家自然科学基金项目(50977063);国家高技术研究发展计划项目(2008AA11A145);天津市科技支撑重点项目(09ZCKFGX01800)~~

摘　　要：阐述了电阻的高频特性,基于阻抗分析仪获取电阻的寄生参数,在SABER仿真软件中建立了三相桥式全控整流电路的高频仿真模型并对其进行仿真,通过对仿真结果的分析,验证了寄生参数对系统的影响。The resistance parasitic parameters can be obtained through impedance analyzer.And considering the high frequency characteristics of resistance,the high frequency simulation model for three-phase full-controlled bridge rectifying circuit was established by means of SABER simulation software.The simulation results verify the impact of parasitic parameters on the system.

关 键 词：三相整流器 阻抗分析仪 寄生参数 

分 类 号：TM461[电气工程—电器]