0-30μmi线光刻的精确套准控制  

作　　者：Keun-YoungKim 葛劢冲 

出　　处：《电子工业专用设备》1999年第4期42-46,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：由掩模、步进机、光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此,推出一种检查掩模自身精度的新方法,它能为圆片加工提供更实用的基准,并可反映出其它误差量。研究表明,掩模厚度是决定掩模上图形位置精度的一个关键因素。衬底越厚,自身的畸变越小,掩模制作中连续加工引起的变形越小。尽管厚衬底掩模的像场几乎比薄衬底大1 倍,但6-35 m m 厚度石英衬底掩模的置位图形比2-29 m m 厚度的更准确。离轴照明(OAI) 是影响套准的另一原因,它可引发镜头像差,通过芯片倍率和旋转控制可以补偿这种误差。接触孔制作的套准控制非常重要,但相当困难,多层构造的接触孔套准控制更难。目前试制了一种分别控制x、y 向套准的方法。

关 键 词：套准控制 光刻 i线光刻 重合度 掩膜 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]