980nm半导体激光器高反膜的优化设计  

作　　者：张莹[1] 宋爱民[2] 王培界[3] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]重庆教育学院,重庆400067 [3]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《数字通信》2011年第4期92-94,97,共4页Digital Communications and Networks

摘　　要：通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。

关 键 词：半导体激光器 高反膜 薄膜激光损伤阈值 归一化电场强度 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]