一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法  

A 3-D Surface Evolvement Algorithm for Silicon Etching Simulations

作　　者：张鉴[1] 戚昊琛[1] 徐栋梁[1] 胡智文[2] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009 [2]温州大学瓯江学院,浙江温州325035

出　　处：《电子学报》2011年第8期1869-1872,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：安徽省教育厅省级自然科学研究计划重点基金(No.KJ2008A105);东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金;中央高校基本科研业务费专项资金(No.2011HGQC0997)

摘　　要：针对硅微加工中的刻蚀工艺模拟应用,提出了一种基于点元网格和单位法向量的三维表面演化算法.在形成的连续曲面上,以高斯积分法得到点元步进的单位法向量,实现三维表面的构建与推进.根据典型的刻蚀工艺及其物理模型,该表面演化算法能够用于硅等离子体刻蚀等与表面演化方向相关的工艺模拟.参照简单的各向同性刻蚀,利用该三维算法实现了不同视角的三维硅刻蚀工艺的模拟结果,通过与相关实验结果的对比,验证了这种新型三维表面演化算法对相关工艺描述的实用性与准确性.We used unit vectors of the parametric surface cells as an important parameter to achieve the surface evolution algorithm.Instead of the normal vectors of facet cells,Gauss integration is adopted to calculate the normal vectors of the surface cells,so as to determine the evolvement directions of the cells.The simulation results of this algorithm were 3-D visible of variable perspective.If a physical model of given fabrication is provided,it can be applied to other processes with surface evolution direction dependence.Some isotropic etching simulations were performed as examples,and the results indicate the accurate simulated surface.

关 键 词：硅刻蚀 工艺模拟 三维 表面演化算法 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]