硅刻蚀

作品数：44被引量：113H指数：6
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ICP深硅刻蚀工艺研究
《电子工业专用设备》2024年第5期42-46,共5页赵洋 高渊 宋洁晶 
深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深...
关键词：深硅刻蚀 微机电系统 刻蚀形貌 感应耦合等离子刻蚀 
压阻式压力传感器硅电阻条浅槽刻蚀的研究
《舰船电子工程》2024年第4期199-202,共4页王天靖 梁庭 雷程 王婧 冀鹏飞 
MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹...
关键词：压力传感器 电阻条 深硅刻蚀 刻蚀 刻蚀速率 均匀性 
深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
《微纳电子技术》2024年第2期162-167,共6页商庆杰 康建波 张发智 宋洁晶 
晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放...
关键词：深硅刻蚀 晶圆位置偏移 静电吸盘 解吸附配方 电动三针 片间清洗 
基于硅基MEMS工艺的快速控制反应镜制作被引量：1
《空间电子技术》2023年第4期91-97,共7页王平 代锋 杨士成 
快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS,)工艺制作微型快反镜,对于实现...
关键词：硅基MEMS 工艺 快反镜 深硅刻蚀 
高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术被引量：1
《微纳电子技术》2023年第3期454-460,共7页刘庆 刘雯 司朝伟 黄亚军 杨富华 王晓东 
中国科学院科研仪器设备研制项目(YJKYYQ20200002)。
针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制...
关键词：微电子机械系统(MEMS) BOSCH工艺 高深宽比 倾斜刻蚀 法拉第笼 
C_(4)F_(6)/SF_(6)混合气体对硅基材料的ICP刻蚀工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2023年第1期36-41,共6页陈长鸿 王妹芳 孙一军 孙颖 孙家宝 刘艳华 刘志 谢石建 
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 深硅刻蚀 选择比 
一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺被引量：1
《半导体技术》2022年第1期33-36,共4页赵恒 何来胜 杨伟 葛邦同 何金城 
联合微电子中心有限责任公司自主投资项目(CUM-2019-ZS-RD-008-GG)。
硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破。提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封装面进行匹配封装,降低封装中...
关键词：硅基光电子芯片 端面耦合器 封装 磨抛 深硅刻蚀 
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法被引量：1
《半导体技术》2022年第1期42-45,64,共5页林源为 赵晋荣 
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(T...
关键词：深硅刻蚀 减小底部圆角 硅微腔 硅通孔(TSV) 先进封装 
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计被引量：1
《现代电子技术》2021年第3期162-166,共5页王月 何常德 张文栋 
国家重点研发计划:基于MEMS技术的阵列式微型声压传感器研制(2018YFF01010500);国家杰出青年科学基金:微纳米传感器原理与集成(6142500192)。
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用...
关键词：CMUT面阵 上电极引线 TSV技术 深硅刻蚀 磁控溅射 金属互连 
基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀被引量：2
《微纳电子技术》2020年第11期905-910,共6页蔡萌 司朝伟 韩国威 宁瑾 杨富华 
模拟集成电路重点实验室稳定支持资助项目(6142802 WD201806)。
提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 键合片 深硅刻蚀 氧化铟锡(ITO)掩膜 图形化 刻蚀选择比 
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