Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长及太赫兹性能研究  被引量:1

Growth and terahertz characterization of Hg_(1-x)Cd_x Te crystal

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作  者:王仍[1] 林杏潮[1] 张莉萍[1] 张可锋[1] 焦翠灵[1] 陆液[1] 邵秀华[1] 李向阳[1] 葛进[2] 胡淑红[2] 戴宁[2] 

机构地区:[1]中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出  处:《红外与毫米波学报》2011年第5期401-405,462,共6页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基  金:中科院三期创新项目(Y-4);上海市自然科学基金(10ZR1434500)

摘  要:利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体,通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统,研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2~1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xCdxTe晶体的TA声子振动模式.利用德鲁德(Drude)模型对实验值进行拟合,得出组分x=0.388和0.326的Hg1-xCdxTe晶体的载流子浓度,与测得的实验值较为吻合.Different composition Hg1-xCdxTe crystals were grown by THM method.The optical properties of Hg1-xCdxTe crystals were investigated by using the Fourier transform infrared spectroscopy and transmission mode THz time-domain spectroscopy.The transmission was approached to zero in 0.2~1.5 THz frequency range as Cd composition of Hg1-xCdxTe crystal was lower than 0.279.A TA phonon model of Hg1-xCdxTe crystal was observed at 0.9 THz.Drude model was applied for simulation,which fitted well with the experimental results.The carrier densities of the Hg1-xCdxTe(x=0.388 and 0.326) were also characterized,which agreed with the experimental results.

关 键 词:太赫兹时域光谱 Hg1-xCdxTe晶体 载流子 

分 类 号:O472.3[理学—半导体物理]

 

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