SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取  

Direct Parameter Extraction for SiGe HBT MEXTRAM Model

作　　者：周佩明[1,2] 付军[1,2] 周天舒 李平梁 徐向明 王玉东[1,2] 张伟[1,2] 崔杰[1,2] 刘志弘[1,2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]清华信息科学与技术国家实验室,北京100084 [3]上海华虹NEC电子有限公司,上海201206

出　　处：《微电子学》2011年第5期746-750,共5页Microelectronics

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX02303-003)

摘　　要：提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。A direct parameter extraction method for SiGe HBT MEXTRAM compact model was presented,which could effectively decouple influences of various physical effects,thus enabling a straightforward,simple and practical parameter extraction with no need of circuit simulator.A set of MEXTRAM parameters was extracted for SiGe HBT＇s fabricated in the experiment,and simulated curves agreed quite well with measured data,showing accuracy and validity of the method.

关 键 词：参数提取 锗硅异质结双极晶体管 MEXTRAM模型 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]