ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究  

作　　者：吕艳琼[1] 罗洪梁[1] 闫德霖[1] 黄宇阳[1] 邓文[1] 

机构地区：[1]广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004

出　　处：《广西物理》2011年第2期5-8,共4页Guangxi Physics

基　　金：国家自然科学基金(10764001);广西自然科学基金(桂科回0832003)

摘　　要：研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。

关 键 词：ZNO压敏陶瓷 Nb2O5掺杂 电学性能 正电子湮没 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]