外延碳化硅纳米线的合成和显微结构研究  

Synthesis and Microstructure of Epitaxial SiC Nanowires

作　　者：沈振菊[1] 张晓娜[1] 韩晓东[1] 张泽[1,2] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124 [2]浙江大学电镜中心,浙江杭州310027

出　　处：《电子显微学报》2011年第4期435-438,共4页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：北京工业大学校"Si纳米线生长方向控制及相关生长机理研究"基金资助项目

摘　　要：本文以硅为衬底,用热蒸发SiO粉末的方法合成了外延碳化硅(SiC)纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对SiC纳米线进行了电子显微学分析。实验发现,在SiC纳米线生长前,衬底上首先自发形成了一层SiC多晶膜,纳米线在这层多晶膜的某些晶粒上外延生长。在显微结构分析的基础上,本文探讨了外延生长一维纳米结构的有利条件是高的生长温度和低的生长速率。We obtained epitaxial SiC nanowires on silicon substrate by evaporating SiO powder.SEM and TEM were used to characterize the morphology and the microstructure.It was found that a polycrystalline SiC layer was formed on the Si substrate before the growth of the SiC nanowires.For single SiC nanowire,it would epitaxially grow on a grain of the polycrystalline SiC layer.Based on the microstructure analysis,it was thought that high deposition temperature and low deposition rate benefit the epitaixial growth.

关 键 词：热蒸发 外延生长 SIC 纳米线 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]