考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型  

An analytical thermal model for 3D integrated circuit considering through silicon via

作　　者：朱樟明[1] 左平[1] 杨银堂[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《物理学报》2011年第11期675-680,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60725415;60676009);国家重大科技专项(批准号:2009ZX01034-002-001-005);国家重点实验室基金(批准号:ZHD200904);西安AM创新基金(批准号:XA-AM-200907)资助的课题~~

摘　　要：基于不考虑硅通孔的N层叠芯片的一维热传输解析模型,提出了硅通孔的等效热模型,获得了考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型,并采用Matlab软件验证分析了硅通孔对三维集成电路热管理的影响.分析结果表明,硅通孔能有效改善三维集成电路的散热,硅通孔的间距增大将使三维集成电路的温升变大.Based on the one-dimensional analytical thermal model for N strata stacked chips without through-silicon via （TSV）,the equivalent thermal model for TSV is presented in this paper.And then,the corresponding analytical thermal model with considering TSV is deriveed.Finally,Matlab software is used to verify and analyze the influence of TSV on the thermal management of 3D IC intergration.The analysis results indicate that the TSV can effectively improve the heat dissipation of 3D IC circuits,and the increase of TSVs＇s pitch can raise the temperature of the 3D IC circuit.

关 键 词：三维集成电路 热管理 硅通孔 等效热模型 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]