柔性PEN衬底ZnO:Ga薄膜的性能研究  

Characteristics of ZnO:Ga thin films on flexible PEN substrate with DC magnetron sputtering

作　　者：谢轲[1] 蔡宏琨[1] 陶科[1] 胡居涛[1] 靳果[1] 张德贤[1] 

机构地区：[1]南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071

出　　处：《光电子．激光》2011年第11期1663-1666,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：天津市应用基础及前沿技术研究计划(08JCYBJC13100);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目

摘　　要：以PEN柔性薄膜作为衬底,采用直流对靶磁控溅射的方法,在室温下制备ZnO:Ga薄膜。研究了不同溅射功率和不同溅射压强下制备出的薄膜表现出不同的光学和电学特性。经过溅射压强和溅射功率的优化,获得薄膜厚约900nm、电阻率为7.72×10-4Ω.cm和可见光平均透过率超过75%的PEN衬底ZnO:Ga薄膜。将其应用于PEN透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中,得到了转换效率为6.4%的太阳电池。In this paper, we investigate ZnO thin films on PEN DC magnetron sputtering at room tempurature. At different sputtering power values and pressures, the ZnO thin films exhibit different optical and electrical properties. Optimizing sputtering power and pressure, we find the optimal ZnO film on PEN suhstrate,whose thickness is 900 nm,resistivity is 7.72×10^-4Ω·cm,and average transmittance in the range 400-800 nm is over 75%. We use it as the surface electrode of amorphous silicon thin film solar cells and finally get flexible cells with conversion efficiency of 6.4 %.

关 键 词：PEN ZNO 直流磁控溅射 非晶硅电池 

分 类 号：TN29[电子电信—物理电子学]