PECVD法SiN_x:H薄膜减反钝化特性研究  

STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF PASSIVATION AND ANTIREFLECTANCE OF HYDROGENATED SILICON NITRIDE BY PECVD

作　　者：曹晓宁[1] 周春兰[1] 赵雷[1] 李海玲[1] 刘振刚[1] 刁宏伟[1] 王文静[1] 

机构地区：[1]中国科学院电工研究所太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京100190

出　　处：《太阳能学报》2011年第10期1431-1435,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划(2007AA052437);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW-382)

摘　　要：利用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了在太阳电池中用作表面钝化和减反层的SiN_x:H薄膜。制备的折射系数分布在1.72～2.55范围内的一系列薄膜对电阻率为10Ω·cm的p型衬底硅片具有较好的钝化效果。研究给出了SiH_4/NH_3流量比和衬底温度对薄膜折射系数和钝化效果的影响规律,当衬底温度为300℃,SiH_4/NH_3流量比低于50/15时,制备的SiN_x:H薄膜具有优良的减反钝化效果。Amorphous hydrogenated silicon nitride （SiNx： H） films used for surface passivation and antireflectance coating on silicon solar cells were prepared by a plasma-enhanced chemical vapour deposition. The preferable passi- vation effect was obtained on p-type silicon substrate （ 10 Ωcm resistivity） for as-posited films within the broad refractive index range of 1.72-2.55, The influence of the flow SiHn/NH3 ratio, deposition temperature on the opti- cal constant n and the passivation effect of SiNx： H films were presented.

关 键 词：SiNx:H薄膜 PECVD 钝化 光学折射系数 

分 类 号：TB43[一般工业技术]