一种微推进系统点火器的制作  

作　　者：刘善喜 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,苏州215163

出　　处：《集成电路通讯》2011年第3期9-13,共5页

摘　　要：通过半导体桥点火阵列的设计与制作，研究了半导体桥作为微推进系统点火器的可行性。采用多晶硅材料，研制出了点火电阻1．2±0．2Ω、点火电压9．5V的3×4阵列点火器，为低电压、低成本、高可靠性微推进豕统点火器的制备提供了一条有效的技术途径。

关 键 词：微推进系统 点火器 多晶硅 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]