CMOS多谐振荡器振荡周期数学模型的建立及推导  

作　　者：李有池 高加林 朱凤仁 徐政 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,苏州215163

出　　处：《集成电路通讯》2011年第3期48-52,共5页

摘　　要：详细叙述了非对称式CMOS多谐振荡器的工作原理，从微分方程的建立、求解开始，建立了CMOS多谐振荡器振荡周期的数学模型，并结合该数学模型给出了振荡器周期的详细推导过程和计算公式，该公式对RC振荡器周期推导具有普遍意义。

关 键 词：CMOS 多谐振荡器 微分方程 周期 阀值电压 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]