硅基磁电阻研究取得新进展  

机构地区：[1]国家自然科学基金委员会

出　　处：《功能材料信息》2011年第4期59-59,共1页Functional Materials Information

摘　　要：清华大学材料科学与工程系章晓中教授近日在《自然》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》，这也是中国首次以第一单位在Nature／Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果，是该领域中的一个重大突破。

关 键 词：低场磁电阻 硅基 材料科学与工程 《自然》 清华大学 研究成果 

分 类 号：TM271[一般工业技术—材料科学与工程]