双极晶体管不同剂量率辐射退化机理  

作　　者：唐民[1] 赵大鹏[1] 吴志宇[1] 于庆奎[1] 林红[1] 

机构地区：[1]北京卫星环境工程研究所

出　　处：《航天器环境工程》1997年第3期23-26,共4页Spacecraft Environment Engineering

摘　　要：通过对双极器件剂量率效应退化机理进行分析,探讨了双极器件抗辐射加固途径,评估了双极器件抗辐射能力的试验方法。

关 键 词：半导体器件辐射效应 剂量率效应 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]