林红

作品数：3被引量：1H指数：1
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铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系
《航天器环境工程》1997年第3期14-22,共9页林红 于庆奎 赵大鹏 
采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的...
关键词：辐射 辐射电离效应 辐射剂量 退火 剂量率 迁移率 
双极晶体管不同剂量率辐射退化机理被引量：1
《航天器环境工程》1997年第3期23-26,共4页唐民 赵大鹏 吴志宇 于庆奎 林红 
通过对双极器件剂量率效应退化机理进行分析,探讨了双极器件抗辐射加固途径,评估了双极器件抗辐射能力的试验方法。
关键词：半导体器件辐射效应 剂量率效应 
国产非加固CMOS电路低剂量率辐射效应的研究
《航天器环境工程》1996年第4期39-41,44,共4页于庆奎 赵大鹏 林红 
在不同剂量率下进行辐照试验,半导体器件的失效剂量和失效机理可能不同。文章对国产非加固 CMOS 电路 CC4007分别在低剂量率和高剂量率下进行辐照试验,并将试验结果进行比较。辐照剂量率为0.0001、0.001、1Gy(Si)/s。对高剂量率辐照的...
关键词：辐射效应 半导体器件 辐照试验 试验方法 
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