双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级  

作　　者：朱文章[1] 沈顗华 刘士毅[2] 

机构地区：[1]集美航海学院物理室,厦门361021 [2]厦门大学物理学系,厦门361005

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》1993年第S2期95-96,共2页Journal of Xiamen University：Natural Science

摘　　要：提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和可直接测量单晶的深能级.测量了掺金硅单晶和电子辐照硅单晶的深能级,结果与公认值完全符合.

关 键 词：深能级 光伏谱 双光束 

分 类 号：N55[自然科学总论]