MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究  

Photoluminescence Properties of ZnSe Epilavers Gtsrown by MOCVD

作　　者：江向平[1] 江风益[1] 程齐贤[1] 潘传康[1] 肖新民[2] 

机构地区：[1]江西工业大学 [2]江西师范大学

出　　处：《南昌大学学报（工科版）》1991年第4期51-55,共5页Journal of Nanchang University(Engineering & Technology)

摘　　要：本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。The photoluminescen properties of ZnSe epilayers grown by MOCVD are studied. Free exciton emission, bound exciton emission. DAP emission and LO phonon associted with DAP are observed. The energy of LO phonon is 31 mev by RAMAN backscattering.

关 键 词：自由激子谱 束缚激去谱 施主受主对DAP LO声子 

分 类 号：T-55[一般工业技术]