潘传康

作品数:9被引量:10H指数:2
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供职机构:南昌大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题:应变超晶格超晶格ZNSE温度场散斑照相法更多>>
发文领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊:《南昌大学学报(工科版)》《南昌大学学报(理科版)》《科学通报》《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金:江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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MOCVD生长MgS薄膜被引量:1
《Journal of Semiconductors》1998年第1期8-11,共4页廖清华 范广涵 江风益 熊传兵 彭学新 潘传康 
国家自然科学基金;江西省自然科学基金
我们首次采用MOCVD外延技术在GaAs(100)衬底上生长了MgS薄膜,获得了具有NaCl结构的MgS单晶膜,并测量了纤锌矿结构MgS的晶格常数.
关键词:外延生长 MOCVD生长 硫化镁 薄膜 
应用散斑照相法测量三维非对称温度场被引量:6
《中国激光》1995年第8期579-583,共5页马力 王鸣 潘传康 
江西省自然科学基金
提出一种光线偏折角放大方法用于提高散斑照相测量灵敏度。应用散斑照相法测定了三维非对称温度场,通过卷积背投影公式得到了z为常数的某个层面的温度分布。实验表明此方法适用于几何尺度较小或温度梯度较小的三维位相物体温度场的散...
关键词:位相物体 三维 温度场 散斑照相法 测量 
ZnSe-ZnS应变超晶格光学振动模的研究
《光谱学与光谱分析》1995年第1期45-48,43,共5页江向平 肖新民 江风益 潘传康 
江西省自然科学基金
本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现红移,另一些样...
关键词:超晶格 拉曼移动 LO 硫化镀 硒化锌 
短周期GaSb/A1Sb应变超晶格的沟道效应
《科学通报》1994年第22期2032-2034,共3页潘传康 江风益 
南昌大学基础理论研究基金;江西省自然科学基金资助课题
把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着晶轴方向应变超晶格的反常沟道现象,即[110]沟道产额明显高于[100]沟道产额.这个结果被解释为应变超晶格的[1...
关键词:超晶格 锑化镓 锑化铝 沟道效应 应变超晶格 
反常退沟道现象与有效沟道模型
《南昌大学学报(理科版)》1994年第1期21-26,共6页潘传康 江风益 
江西省自然科学基金南昌大学基础理论研究基金
我们在对Ⅱ—Ⅳ族ZnSe/ZnS和Ⅲ—Ⅴ族GaSb/AlSb应变超晶格进行离子束沟道测试中发现,反常退沟道现象与超晶格的层厚有密切的关系。通常所认为的[110]反常退沟道现象普遍存在于应变超晶格中这一结论并不完全正确...
关键词:半导体超晶格 反常退沟道 离子束 
ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光
《物理学报》1992年第4期640-648,共9页江风益 潘传康 范广涵 范希武 
本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,...
关键词:半导体 超晶格 光致发光 单昌 薄膜 
ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别被引量:1
《Journal of Semiconductors》1992年第1期22-27,共6页江风益 潘传康 范广涵 范希武 
本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴...
关键词:ZnSe-ZnS 超晶格 质量 鉴别 
MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究
《南昌大学学报(工科版)》1991年第4期51-55,共5页江向平 江风益 程齐贤 潘传康 肖新民 
本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。
关键词:自由激子谱 束缚激去谱 施主受主对DAP LO声子 
ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射被引量:2
《发光学报》1991年第3期217-223,共7页江风益 杨爱华 范希武 范广涵 潘传康 
本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应...
关键词:ZNSE ZNS 应变超晶格 喇曼散射 
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