短周期GaSb/A1Sb应变超晶格的沟道效应  

作　　者：潘传康[1] 江风益[1] 

机构地区：[1]南昌大学材料科学研究所,南昌330047

出　　处：《科学通报》1994年第22期2032-2034,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：南昌大学基础理论研究基金;江西省自然科学基金资助课题

摘　　要：把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着晶轴方向应变超晶格的反常沟道现象,即[110]沟道产额明显高于[100]沟道产额.这个结果被解释为应变超晶格的[110]晶轴的扭折(Zig-Zag)所致.潘传康、朱唯干等人为测量这种扭折角△θ(Kink angle),提出了离子束分层沟道扫描方法,成功地测量了GaSB/Alsb应变超晶格的△θ.这种方法现已被用来测量十余种其它类应变结构的△θ.其中Gossmann等人用此法而获得 AISb(196(?))/GaSb(100(?)异质结的分层角扫描谱.文献[3,4]报道了周期为600(?)的GaSb/AlSb应变超晶格的十分明显的反常沟道效应.

关 键 词：超晶格 锑化镓 锑化铝 沟道效应 应变超晶格 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]