MOCVD生长MgS薄膜  

Growth of MgS Thin Films by MOCVD

作　　者：廖清华[1] 范广涵[1] 江风益[1] 熊传兵[1] 彭学新[1] 潘传康[1] 

机构地区：[1]南昌大学材料科学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第1期8-11,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;江西省自然科学基金

摘　　要：我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．Abstract MgS thin films have been grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) on the GaAs(100) substrates for the first time. We have obtained the single crystal films of MgS with the rock salt structure(B 1) and measured lattice parameters of MgS with wurtzite structure(B 4).

关 键 词：外延生长 MOCVD生长 硫化镁 薄膜 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN304.25